RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
45
Por volta de -88% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.1
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
19.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
17.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
4069
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB Comparações de RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link