RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
40
Por volta de -54% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
26
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
10.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
3025
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link