RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
57
Por volta de 47% menor latência
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
8500
Por volta de 3.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
57
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
13.7
Largura de banda de memória, mbps
8500
25600
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2792
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link