RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
30
Por volta de -67% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.8
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
18
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
20.8
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
15.1
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
3402
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link