RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
30
Por volta de -20% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
25
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
13.4
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2786
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kllisre 0000 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link