RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
30
Por volta de -7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
15.4
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
3705
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
AMD AE34G1601U2K 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link