RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
30
Por volta de -15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.8
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
26
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
16.8
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
3899
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Corsair CM3B8G2A1333L9 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link