RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
37
Por volta de 19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.6
8.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.8
5.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
37
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
8.8
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
5.0
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
1967
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB Comparações de RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link