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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston HX316C10F/4 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Kingston HX316C10F/4 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
67
Por volta de 55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.6
6.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.8
5.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston HX316C10F/4 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
12800
8500
Por volta de 1.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
30
67
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
6.3
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
5.0
Largura de banda de memória, mbps
8500
12800
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
1247
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston HX316C10F/4 4GB Comparações de RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
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