RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Comparar
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
27
Por volta de 19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
22
27
Velocidade de leitura, GB/s
17.2
9.7
Velocidade de escrita, GB/s
13.8
6.8
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2989
1767
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link