RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Comparar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
46
Por volta de -84% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.5
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.8
13.6
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
25
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
19.5
Velocidade de escrita, GB/s
13.6
17.8
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2717
3910
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link