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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
28
Por volta de 21% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.2
17.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
12.7
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
22
28
Velocidade de leitura, GB/s
17.7
19.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.7
15.0
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3075
3532
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparações de RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
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