Comparação RAM Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

Pontuação geral

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

22 23

Por volta de 4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

17.7 16.2

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.7 8.8

Valor médio nos testes

Razões a considerar
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

Lista completa de especificações técnicas

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

3075 2442

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns