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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB

Pontuação geral
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Pontuação geral
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G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB

G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Razões a considerar
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Relatar um erro
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    2 left arrow 18.3
    Valor médio nos testes
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB Razões a considerar
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    25 left arrow 77
    Por volta de -208% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    16.3 left arrow 1,884.0
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 6400
    Por volta de 2.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    77 left arrow 25
  • Velocidade de leitura, GB/s
    2,936.9 left arrow 18.3
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,884.0 left arrow 16.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    564 left arrow 3849

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparações de RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB

G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB Comparações de RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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