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SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Comparar
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
37
Por volta de -6% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
10.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.2
10.3
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2191
2155
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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