RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Comparar
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
41
Por volta de -141% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.9
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.0
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
17
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
16.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1438
3550
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link