RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Comparar
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
41
Por volta de -32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.8
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
31
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
11.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
8.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1438
2354
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link