RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Comparar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
43
Por volta de -54% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19
10.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.6
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.7
19.0
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
15.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1314
3600
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link