RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Comparar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
71
Por volta de 46% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
6.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
71
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
6.6
8.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1406
1979
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link