RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Comparar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
42
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.9
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
6.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
42
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
12.9
Velocidade de escrita, GB/s
6.6
12.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1406
3126
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
INTENSO 5641152 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
SK Hynix CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link