RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Comparar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
74
Por volta de 49% menor latência
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
6.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
74
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
6.6
7.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1406
1825
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link