RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Comparar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
43
Por volta de -79% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.7
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.6
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
22.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
18.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1706
4202
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link