RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Comparar
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
49
Por volta de -69% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12
8.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
5.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
49
29
Velocidade de leitura, GB/s
8.2
12.0
Velocidade de escrita, GB/s
5.2
8.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1223
2171
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link