RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Comparar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
81
Por volta de 46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.3
8.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
5.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
81
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
8.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
5.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1977
1651
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link