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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Pontuação geral
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Pontuação geral
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Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Razões a considerar
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 10
    Valor médio nos testes
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Razões a considerar
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    45 left arrow 65
    Por volta de -44% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.1 left arrow 1,711.1
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 6400
    Por volta de 2.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    65 left arrow 45
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,018.7 left arrow 10.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,711.1 left arrow 8.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    513 left arrow 2414

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparações de RAM

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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Comparações de RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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