RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Comparar
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Pontuação geral
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
15.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,381.6
13.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
60
Por volta de -140% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
25
Velocidade de leitura, GB/s
5,082.2
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,381.6
13.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
925
2786
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link