RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8,883.4
17.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
44
Por volta de -42% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
14
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
31
Velocidade de leitura, GB/s
14,740.4
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
8,883.4
17.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2811
3711
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link