RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Comparar
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
20.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
68
Por volta de -134% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.9
1,670.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,554.9
20.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,670.7
16.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
513
3901
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link