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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
63
Por volta de -54% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
1,583.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
41
Velocidade de leitura, GB/s
3,895.6
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,583.7
7.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
639
2154
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
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