RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Comparar
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Pontuação geral
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
70
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
8.5
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.6
3,071.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
70
44
Velocidade de leitura, GB/s
4,372.7
8.5
Velocidade de escrita, GB/s
3,071.4
5.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
1660
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Comparações de RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link