RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Comparar
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Pontuação geral
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
54
Por volta de -135% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
1,781.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,269.3
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,781.8
12.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
618
2960
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link