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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
63
Por volta de -75% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
36
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
8.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
2231
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
INTENSO 4GB
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