RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
63
Por volta de -54% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
41
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
13.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
3100
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link