RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
61
63
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
61
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
8.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
2025
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link