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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
63
76
Por volta de 17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
10.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.9
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
76
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
10.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
6.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
1260
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
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