RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Comparar
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Pontuação geral
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
68
Por volta de -143% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.1
1,944.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,973.0
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,944.9
16.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
673
3772
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Comparações de RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link