RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Pontuação geral
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
18.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
46
Por volta de -109% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
1,852.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
22
Velocidade de leitura, GB/s
5,535.6
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,852.4
13.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
3254
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link