RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
46
Por volta de -28% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
1,852.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
36
Velocidade de leitura, GB/s
5,535.6
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,852.4
11.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
2497
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kllisre 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link