RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Pontuação geral
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
68
Por volta de 32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
16.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
1,852.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
68
Velocidade de leitura, GB/s
5,535.6
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,852.4
8.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
1812
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
SK Hynix HMT325U6EFR8C-PB 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link