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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Pontuação geral
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
14.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
46
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
1,852.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
39
Velocidade de leitura, GB/s
5,535.6
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,852.4
10.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
2159
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
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