RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
50
Por volta de -85% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
1,457.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,757.3
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,457.4
11.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
557
2426
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparações de RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link