RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
50
Por volta de -117% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
1,457.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
23
Velocidade de leitura, GB/s
3,757.3
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,457.4
13.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
557
3169
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparações de RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link