RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Pontuação geral
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
20.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
50
Por volta de -72% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
1,457.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,757.3
20.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,457.4
15.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
557
3632
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparações de RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link