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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
20.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
17.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
87
Por volta de -358% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
19
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
20.4
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
17.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
3855
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
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