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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
87
Por volta de -129% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
38
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
11.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
2856
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMR5040MM58F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
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