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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs InnoDisk Corporation 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
8.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
InnoDisk Corporation 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
87
Por volta de -129% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
7.7
3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
38
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
7.7
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
8.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
2163
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
InnoDisk Corporation 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
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