RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
53
Por volta de -36% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
39
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
10.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
2571
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link