RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
53
Por volta de -51% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
35
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
12.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
2863
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link