RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
14.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
96
Por volta de -182% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
34
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
12.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
2756
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link