RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
96
Por volta de -167% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
36
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
12.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
3169
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link